Ученые РФ синтезировали материалы на основе оксида галлия и железа, перспективные для создания энергоэффективных ячеек памяти

Применение на практике принципов спинтроники для электронных устройств требует создания полупроводниковых материалов, в которых возможно управлять не только электрическими, но и магнитными характеристиками. Такие материалы позволят создавать новые типы памяти, которые будут характеризоваться высокой энергонезависимостью и энергоэффективностью.

К перспективным полупроводниковым материалам спинтроники можно отнести оксид галлия. Этот широкозонный полупроводник сегодня рассматривают как перспективную замену кремнию в силовой электронике, там, где приходится управлять высокими напряжениями с малыми потерями.

Однако магнитные свойства данного оксида пока не были  достаточно исследованы. Группа исследователей из Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ», Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН (ФТИ им. Иоффе РАН) и Санкт-Петербургского государственного университета (СПбГУ) впервые исследовала  магнитные свойства кристаллов оксида галлия легированных железом. Ранее железо рассматривалось лишь как лиганд, способный скомпенсировать электронную проводимость в оксиде галлия, для чего делались его малые добавки.

Подробнее https://etu.ru/ru/nauchnaya-i-innovacionnaya-deyatelnost/novosti1/uchenye-rf-sintezirovali-materialy-na-osnove-oksida-galliya-i-zheleza-perspektivnye-dlya-sozdaniya-energoeffektivnyh-yacheek-pamyati