Учёные МФТИ придумали, как заставить работать посткремниевые транзисторы

Учёные МФТИ решили ключевую проблему на пути к промышленным транзисторам на дисульфиде молибдена атомарной толщины. Такие транзисторы в разы меньше самых миниатюрных кремниевых аналогов и могут использоваться для создания гибкой и прозрачной электроники. Результаты работы опубликованы в журнале Vacuum. 

Современные процессоры содержат миллиарды транзисторов. Инженеры десятилетиями уменьшали их, чтобы чипы становились быстрее и экономичнее. Но кремний подошёл к физическому пределу. Когда размер затвора транзистора становится меньше пяти нанометров, электроны «просачиваются» сквозь запирающий барьер даже в выключенном состоянии, транзистор перестает надёжно переключаться, а энергопотребление и нагрев резко возрастают.

Альтернативой выступают двумерные полупроводники — материалы толщиной в несколько атомов. Один из них – дисульфид молибдена, толщина монослоя которого – 0,65 нм. Структура на его основе обеспечивает идеальный электростатический контроль и позволяет подавить токи утечки.

Подробнее https://mipt.ru/news/uchyenye-mfti-pridumali-kak-zastavit-rabotat-post-kremnievye-tranzistory