Заседание Совета Ассоциации вузов по ЭКБ в СПбГЭТУ «ЛЭТИ

  Подготовку кадров в области разработки и проектирования электронной компонентной базы (ЭКБ) обсудили в СПбГЭТУ «ЛЭТИ» на очередном заседании Совета Ассоциации вузов по электронной компонентной базе.

21-22 ноября в СПбГЭТУ «ЛЭТИ» – вузе-лидере отрасли, состоялось очередное заседание Совета Ассоциации вузов по электронной компонентной базе.
Участниками заседания стали представители промышленности и вузов, занимающихся подготовкой кадров в перспективной области разработки и проектирования ЭКБ: АО «Российские космические системы», АО «Ангстрем», Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина), МИЭТ, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Южный федеральный университет, Национальный исследовательский университет «МЭИ», Омский государственный технический университет и Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева.
Заседание открыл академик РАН, президент МИЭТ Юрий Александрович Чаплыгин, пожелав коллегам плодотворной работы.
«На базе учебно-научной лаборатории «Элементная база наноэлектроники», созданной в МИЭТ совместно с АО «Ангстрем», отрабатывают отдельные технологические операции для создания транзисторных МОП структур на карбиде кремния (полином 4H-SiC). В частности, отработаны операции формирования подзатворного диэлектрика, научились формировать распределение примеси в диффузионных слоях методом имплантации и отжигать её, происходит освоение металлизации для создания контактов, получены семейства выходных и сток-затворных ВАХ вертикальных 4H-SiC MOSFET», - рассказал Юрий Александрович Чаплыгин.
Директор департамента науки СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Виктор Викторович Лучинин в своем докладе отметил несомненные преимущества карбида кремния для применения в силовой и экстремальной электронике. Особое внимание было уделено вопросу объемного роста монокристаллов карбида кремния.
«Карбид кремния обладает рядом преимуществ перед классическим монокристаллическим кремнием – высокая подвижность носителей заряда, широкая запрещенная зона, температурная стабильность характеристик в широком диапазоне и другие. Именно поэтому SiC является перспективным материалом в микроэлектронике для изготовления силовых полупроводников приборов, фотоприемных устройств, а также для спецназначений». – Директор департамента науки СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Виктор Викторович Лучнин
Заместитель директора НОЦ «Нанотехнологии» СПбГЭТУ «ЛЭТИ», доцент кафедры микро- и наноэлектроники Алексей Валентинович Афанасьев осветил тему технологий карбидокремниевых приборов силовой электроники, включая эволюцию электронной компонентной базы (ЭКБ) силовой электроники, которая в настоящее время ориентирована на применение широкозонных полупроводниковых материалов и, главным образом, карбида кремния. Докладчик представил сопоставительный анализ кремниевой и карбидокремниевой технологии, основные достижения СПбГЭТУ «ЛЭТИ» в развитии таких важнейших этапов технологического цикла изготовления SiC-приборов, как: газофазная эпитаксия карбида кремния, ионная имплантация примесей в карбид кремния и окисление карбида кремния, главным образом, в части изготовления SiC-МОП-транзисторов (метал-оксид-полупроводник).
«В ЛЭТИ создан Научно-образовательный центр «Нанотехнологии», в котором успешно отрабатывают технологию создания транзисторных структур на основе карбида кремния». – Заместитель директора НОЦ НТ СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Алексей Валентинович Афанасьев
В заключение Алексей Валентинович представил работы, реализуемые ЛЭТИ совместно с ПАО «Светлана» по созданию современной карбидокремниевой ЭКБ.
Совместный доклад директора НОЦ «Нанотехнологии» СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Андрея Владимировича Корлякова и заместителя директора ИЦ ЦМИД СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Владимира Алексеевича Ильина был посвящен достижениям ЛЭТИ в области разработок карбидокремниевых приборов, а именно: твердотельных ключей (дрейфовых диодов с резким восстановлением и полевым транзистором), автоэмиссионным структурам и МЭМС (микро-электромеханических систем).
С кратким сообщением о современном состоянии разработок и производстве ЭКБ силовой электроники на основе классического материала – кремния и с недавнего времени – карбиде кремния выступил представитель АО «Ангстрем» (Москва) Владимир Петрович Миронов.
Во второй день заседания состоялась экскурсия на ООО «Нью даймонд техноложи» (г. Сестрорецк, Ленинградская область), где участники смогли оценить применение методов роста кристалла карбида кремния в производственных масштабах.
Для справки
Необходимость формирования в России карбидокремниевой индустрии как одного из направлений в решении задачи импортозамещения электронной компонентной базы (ЭКБ) и обеспечения паритета в технологиях, определяющих научно-технологическое превосходство и безопасность государства, сегодня является одним из технологических приоритетов инновационного развития отечественного электронного приборостроения.
Начиная с 1976–1980 годов, когда учеными ЛЭТИ был разработан метод выращивания объемных монокристаллов карбида кремния (метод ЛЭТИ), признанный во всем мире научно-технологическим прорывом, определившим переход к промышленной технологии изготовления ЭКБ на карбиде кремния (SiC), Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) уверенно сохраняет лидерство в области междисциплинарных исследований при проведении работ по синтезу, структуро- и формообразованию углеродсодержащих неорганических материалов и композиций органической природы. Одним из приоритетных направлений развития вуза в рамках реализации программы повышения конкурентоспособности ведущих университетов Российской Федерации (Программа 5-100) начиная с 2013 года является «Углеродная электроника».

Программа заседания и презентации докладов

Фото с заседания Совета Ассоциации в СПбГЭТУ «ЛЭТИ»